漏电流：等同于绝缘电阻的概念，只是2种不同的表示。电解电容器隔离直流作用的数值化表征，漏电流越小越好。
浪涌电压：电容器瞬间能承受的较高电压或峰值电压。浪涌主要指的是电源刚开通的那一瞬息产生的强力脉冲，由于电路本身的非线性有可能有高于电源本身的脉冲；或者由于电源或电路中其它部分受到本身或外来尖脉冲干扰叫做浪涌。浪涌电压常用浪涌电流来表示，浪涌电流很可能使电路在浪涌的一瞬间烧坏，如PN结电容击穿，电阻烧断等等。
浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。在电子设计中，浪涌主要指的是电源（只是主要指电源）刚开通的那一瞬息产生的强力脉冲，由于电路本身的非线性有可能高于电源本身的脉冲；或者由于电源或电路中其它部分受到本身或外来尖脉冲干扰叫做浪涌。它很可能使电路在浪涌的一瞬间烧坏，如PN结电容击穿，电阻烧断等等。 而浪涌保护就是利用非线性元器件对高频（浪涌）的敏感设计的保护电路，简单而常用的是并联大小电容和串联电感。
钽一种略带蓝色的战略金属，英文名叫TANTALUM，具有2900 度以上的熔点（仅次于钨和铼）和6.5 的莫氏硬度（钻石是10）以及令人难以置信的耐酸碱性（王水对其都没用，而黄金碰到王水都会融化），以上特性给钽带来了难以加工的坏名声，不过其极高的介电常数（27 是铝的4 倍以上）和烧结后的海绵状态以及超稳定状态却让电子元件生产厂商忍受千难万苦也要把它应用在电容上，最终装备到军用电子设备中。
1.漏电流少：同样阴极是聚合物（PEDTPPY 等）钽聚合物电容的漏电流只有铝聚合物电容的几分之一左右，以著名的三洋OSCON 的SVP 产品为例，其4V 33UF 的4SVP33M 漏电流（LC）为66UA 而同规格钽聚合物电容一般仅为 12UA 左右，这代表显卡如果用钽聚合物电容滤波会更干净，漏电流导致的脉冲会小。
2.损耗角小：还是拿4SVP33M 为例，其损耗角是0.15，而同规格钽聚合物电容的DF（损耗角）则为0.08。0.15 与0.08 间差了0.10、 0.12 两个数量级，损耗角小表示电容发热会小很多，有利于提高电容寿命和增加显卡稳定性。
3.失效率低：失效率就是每工作一定时间电容可能会失效一次，注意是失效一次，而不是从此出故障了需要修理才能继续或直接坏掉。钽聚合物电容由于都是树脂封装，外加多层银和石墨阴极镀层和钽导线所以电容失效率远小于容易进入湿气和被腐蚀的铝聚合物电容，在美军的一次试验中 AVX 和 KEMET 的钽聚合物电容在模拟运行了 1000000 小时中才出现一次失效，也就是说你想碰到一次钽聚合物电容失效要等 110 多年，所以山姆的关键性电子设备都采用它是有道理的。
（3） 色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：
第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：
第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。
第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为有效数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是pF，电解电容器的单位是uF。
第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。 也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。
（1） 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级5%，II级10%，III级20%。在有些情况下，还有0级，误差为20%。
（2） 额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。 （3） 温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。
（4） 绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。 （5） 损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。
（6） 频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器，最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。
